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清纯唯美 ABLIC推出头向智妙手机、可衣服开采的1节电板保护IC「S-821A/1B系列」

发布日期:2024-11-01 06:13    点击次数:130

清纯唯美 ABLIC推出头向智妙手机、可衣服开采的1节电板保护IC「S-821A/1B系列」

好意思蓓亚三好意思株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司(总裁:田中诚司清纯唯美,总部地址:东京齐港区,下称“ABLIC”)今天推出使用N沟谈MOSFET(※1)终了正端保护(※2)的1节电板保护IC「S-821A/1B系列」。

本文援用地址:

今天推出的新址品「S-821A/1B系列」是1节锂离子电板保护IC,具有以下特色:(1)通过将进行充放电治安的N沟谈MOSFET设立在锂离子电板的正极侧(正端),终了割断电板正极侧电流旅途的保护时势,同期,电板组侧和系统侧的共地为简化系统狡计作念出孝顺。另外,由于内置有业界最高品级的3倍升压充电泵,是以N沟谈MOSFET的启动电压高,镌汰了N沟谈MOSFET的导通电阻;(2)备有业界顶级精度的放电过电流保护(3段),粗略在安全的限度割断相当电流;(3)过充电检测电压精度为±15mV,终了业界顶级的高精度化;(4)通过节电功能,在不容电板放电的同期,将保护IC的糜费电流镌汰到最大50nA,将电板的糜费电流扼制为近乎于0;(5)通过将NTC热敏电阻与热敏电阻畅通端子(TH端子)畅通,粗略终了过热保护功能。

(※1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金属氧化物半导体场效应晶体管)

(※2) 正端保护:在电板的正极侧与负载之间插入MOSFET清纯唯美,发生相当时通过关闭MOSFET来割断通电旅途,保护电路及开采

【主要特色】

1.终了N沟谈正端保护

2.通过3段放电过电流保护,终了更高的安全性

3.过充电检测电压精度为±15mV,终明晰业界顶级的高精度

4.通过节电功能不错扼制糜费电流

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5. 通过畅通NTC热敏电阻,终了过热保护功能

【讹诈案例】

锂离子可充电电板组、锂团聚物可充电电板组清纯唯美



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